型号:SI3460DV-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5.1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 27 毫欧 @ 5.1A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 450mV @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 20nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装 | 6-TSOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳思诺康科技有限公司 | 李先生0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐 |
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SI3460DV-T1-GE3相关型号
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1206(3216 公制)
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